教育经历：

2008.07于哈尔滨师范大学获得理学学士学位

2013.06于东北师范大学获得理学博士学位

工作经历：

2013.05-2015.05于中国科学院半导体研究所从事博士后研究

2016.02-2017.02为美国加州大学洛杉矶分校公派博士后

2015.05至今在kaiyun官网官方网站任教

兼职情况：

担任中国材料研究学会青年工作委员会第十届理事会理事，担任中国材料学会纳米材料与器件专业委员会理事，担任InfoMat、Nano Research、Progress in Natural Science: Materials International等期刊青年编委。

本科生课程：《新型功能材料》、《基础物理实验》、《社会课堂》

研究生课程：《无机合成化学》

（1）二维材料合成（CVD/CVT），二维材料异质结的构筑、器件微纳加工，二维材料器件的电学、光电、磁学、光学性质研究

（2）生物功能材料

获奖情况：

（1）2020年度国家级人才奖励计划青年学者

（2）2024年北航教师教学基本功比赛二等奖

发明专利：

（1）杨圣雪，高凡，一种二维磁性Fe3O4单晶纳米片的制备方法，2022，CN202111067710，专利号：CN202111067710.2

（2）杨圣雪，黄灵芝，一种钴铁掺杂Bi2O3复合氧化石墨烯的OER催化剂的制备方法，2025，CN120026362B，专利号：ZL202510199920.9

代表性论文：

已在国际著名期刊 Nature Commun.、Adv. Mater.、Adv. Funct. Mater.、ACSNano、NanoLett.、Adv. Sci等杂志上发表80余篇SCI论文，H因子40。

[1] Weiting Xu, Shengxue Yang*, et al. Submillimeter-Sized Neodymium Oxychloride Single-Crystal Dielectrics for 2D Electronics, Adv. Mater. 2026, 38, e10240.

[2] Jiantao Du, Chengbao Jiang*, Shengxue Yang*, et al. The Spontaneous and Tunable Exchange Bias in above Room-Temperature Van der Waals Magnet, Adv. Funct. Mater. 2025, 35, 2501047.

[3] Weiting Xu, Shengxue Yang*, et al. Single-crystalline High-κ GdOCl dielectric for two-dimensional field-effect transistors, Nature Commun. 2024, 15, 9469.

[4] Yujia Chen, Shengxue Yang*, et al. Wrinkled Rhenium Disulfide for Anisotropic Nonvolatile Memory and Multiple Artificial Neuromorphic Synapses, ACS Nano 2024, 18, 30871−30883.

[5] Xiaona Sun, Shengxue Yang*, et al. Controllable Synthesis of 2H-1T′ Mo_xRe_(1-x)S₂ Lateral Heterostructures and Their Tunable Optoelectronic Properties, Adv. Mater. 2023, 35, 2304171.